Бублик Владимир Тимофеевич

Заведующий лабораторией, профессор, д.ф-м.н.

+74956384448

Аудитория: К-411

Владимир Тимофеевич Бублик родился 15 сентября 1934 года, окончил МИСиС в 1958 году, доктор физико-математических наук по специальности 01.04.07 Физика конденсированного состояния. Член редакционной коллегии журналов "Заводская лаборатория. Диагностика материалов" и "Известия вузов. Материалы электронной техники".

Область научных интересов:

Структурные исследования конденсированных фаз, в том числе материалов и объектов микро- и наноэлектроники

Учебные курсы:

  • Методы исследования материалов и структур электроники
  • Дифракционные методы изучения поверхности и приборных структур
  • Дифракционные методы изучения неупорядоченных структур

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Change in the mechanism of conductivity in ZrO2-based crystals depending on the content of stabilizing Y2O3 additive Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Seryakov S.V., Tabachkova N.Yu. Technical Physics Letters. 2017 – V. 43. – №. 3. – P. 289-292.
2 Effect of the valence state of ce ions on the phase stability and mechanical properties of the crystals of ZrO2-based solid solutions Borik M.A., Bublik V.T., Eremina R.M., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Tabachkova N.Y., Fazlizhanov I.I., Shustov V.A., Yatsyk I.V. Physics of the Solid State. 2017 – V. 59. – №. 10. – P. 1934-1939.
3 Experimental and theoretical study of the thermoelectric properties of copper selenide Bulat L.P., Osvenskii V.B., Ivanov A.A., Sorokin A.I., Pshenay-Severin D.A., Bublik V.T., Tabachkova N.Y., Panchenko V.P., Lavrentev M.G. Semiconductors. 2017 – V. 51. – №. 7. – P. 854-857.
4 Influence of the yttria dopant on the structure and properties of (ZrO2)0.91–x (Sc2O3)0.09(Y2O3) х (x = 0–0.02) crystals Agarkov D.A., Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Iskhakova L.D., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Seryakov S.V., Tabachkova N.Yu. Russian Microelectronics. 2017 – V. 45. – №. 8-9. – P. 625-632.
5 Phase composition, structure and properties of (ZrO2)1−x−y(Sc2O3)x(Y2O3)y solid solution crystals (x=0.08–0.11; y=0.01–0.02) grown by directional crystallization of the melt Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Ryabochkina P.A., Seryakov S.V., Tabachkova N.Yu. Journal of Crystal Growth. 2017 – V. 457. – P. 122-127.
6 Structure and conductivity of yttria and scandia-doped zirconia crystals grown by skull melting Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich P.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Ryabochkina P.A., Tabachkova N.Y. Journal of the American Ceramic Society. 2017 – V. 100. – №. 12. – P. 5536-5547.
7 Structure of Bi2Se0.3Te2.7 alloy plates obtained by crystallization in a flat cavity by the Bridgman method Demcheglo V.D., Voronin A.I., Tabachkova N.Yu, Bublik V.T., Ponomaryov V.F. Semiconductors. 2017 – V. 51. – №. 8. – P. 1021-1023.
8 Structure of the Cu2Se compound produced by different methods Ivanov A.A., Sorokin A.I., Panchenko V.P., Tarasova I.V., Tabachkova N.Yu., Bublik V.T., Akchurin R.H. Semiconductors. 2017 – V. 51. – №. 7. – P. 866-869.
9 The impact of structural changes in ZrO2-Y2O3 solid solution crystals grown by directional crystallization of the melt on their transport characteristics Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Ryabochkina P.A., Tabachkova N.Y., Volkova T.V. Materials Letters. 2017 – V. 205. – P. 186-189.
10 Evolution of real structure in Ge-Si mosaic crystals Borisova D., Abrosimov N.V., Shcherbachev K., Klemm V., Schreiber G., Heger D., Juda U., Bublik V., Oettel H. Crystal Research and Technology. 2016 – V. 51. – №. 12. – P. 742-751.
11 Improved mechanical properties of thermoelectric (Bi0.2Sb0.8)2Te3 by nanostructuring Lavrentev M.G., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Pivovarov G.I., Sorokin A.I., Bulat L.P., Kim H.-S., Witting I.T., Snyder G.J., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. APL Materials. 2016 – V. 4. – P. 104807-1-9.
12 Mechanical properties of (Bi,Sb)2Te3 solid solutions obtained by directional crystallization and spark plasma sintering Lavrent’ev M.G., Osvenskii V.B., Pivovarov G.I., Sorokin A.I., Bulat L.P., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. Technical Physics Letters. 2016 – V. 42. – №. 1. – P. 105-107.
13 Properties and Formation of the Structure of Bi2Se0.3Te2.7 Solid Solutions Produced by Equal-Channel Angular Pressing Bogomolov D.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu., Tarasova I.V. Journal of Electronic Materials. 2016 – V. 45. – №. 1. – P. 403-410.
14 Structure and properties of the crystals of solid electrolytes (ZrO2)1 – x – y(Sc2O3)x(Y2O3)y (x = 0.035–0.11, y = 0–0.02) prepared by selective melt crystallization Borik M.A., Bredikhin S.I., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Kuritsyna I.E., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Seryakov S.V., Tabachkova N.Yu. Russian Journal of Electrochemistry. 2016 – V. 52. – №. 7. – P. 655-661.
15 Механические свойства твердых растворов (Bi, Sb)2Te3, полученных направленной кристаллизацией и искровым плазменным спеканием Лаврентьев М.Г., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Сорокин А.И., Булат Л.П., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Письма в Журнал Технической Физики. 2016 – Т. 42. – №. 2. – С. 96-103.
16 Change in the phase composition, structure and mechanical properties of directed melt crystallised partially stabilised zirconia crystals depending on the concentration of Y2O3 Borik M.A., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Seryakov S.V., Tabachkova N.Y. Journal of the European Ceramic Society. 2015 – V. 35. – №. 6. – P. 1889-1894.
17 Low-Temperature Transport Coefficients of Nanostructured Bi0.4Sb1.6Te3-Based Thermoelectric Materials Obtained by Spark Plasma Sintering Bulat L.P., Drabkin I.A., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Pshenay-Severin D.A., Sorokin A.I., Igonina A.A., Bublik V.T., Lavrentev M.G. Journal of Electronic Materials. 2015 – V. 44. – №. 6. – P. 1846-1850.
18 Structure, Phase Composition and Mechanical Properties of ZrO2Partially Stabilized with Y2O3 Borik M.A., Bublik V.T., Vilkova M.Y., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Milovich P.O., Myzina V.A., Ryabochkina P.A., Tabachkova N.Y., Ushakov S.N. Modern Electronic Materials. 2015 – V. 1. – №. 1. – P. 26-31.
19 Nonmonotonic change in the structural grain size of the Bi0.4Sb1.6Te3 thermoelectric material synthesised by spark plasma sintering Osvenskiy V.B., Panchenko V.P., Parkhomenko Yu.N., Sorokin A.I., Bogomolov D.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. Journal of Alloys and Compounds. 2014 – V. 586. – №. 1. – P. S413-S418.
20 Phase composition, structure and mechanical properties of PSZ (partially stabilized zirconia) crystals as a function of stabilizing impurity content Borik M.A., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Tabachkova N.Y. Journal of Alloys and Compounds. 2014 – V. 586. – №. 1. – P. S231-S235.
21 Структура, фазовый состав и механические свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3 Борик М.А., Бублик В.Т., Вилкова М.Ю., Кулебякин А.В., Ломонова Е.Е., Милович Ф.О., Мызина В.А., Рябочкина П.А., Табачкова Н.Ю., Ушаков С.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2014 – №. 1. – С. 58-64.
22 Features of a technique for investigation of partially stabilized zirconia crystals Borik M.A., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Myzina V.A., Milovich F.O., Tabachkova N.Yu. Inorganic Materials. 2013 – V. 49. – №. 15. – P. 1338-1342.
23 New trends in the development of the technology for the production of ultraviolet light-emitting diodes Kurin S.Yu., Antipov A.A., Barash I.S., Bublik V.T., Helava H., Mokhov E.N., Nagalyuka S.S., Roenkov A.D., Chemekova T.Yu., Scherbatchev K.D., Makarov Yu.N. Russian Microelectronics. 2013 – V. 42. – №. 8. – P. 477-482.
24 Structure and Mechanical Properties of Crystals of Partially Stabilized Zirconia after Thermal Treatment Borik M.A., Bublik V.T., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Milovich F.O., Myzina V.A., Osiko V.V., Seryakov S.V., Tabachkova N.Y. Physics of the Solid State. 2013 – V. 55. – №. 8. – P. 1690-1696.
25 Structure and properties of thermoelectric materials based on Bi2(SeTe)3 and (BiSb)2Te3 solid solutions prepared by equal-channel angular pressing Bogomolov D.I., Bublik V.T., Skipidarov S.Ya., Tabachkova N.Yu. Inorganic Materials. 2013 – V. 49. – №. 8, – P. 758-762.
26 Structure and transport properties of bulk nanothermoelectrics based on Bi x Sb2−x Te3 fabricated by SPS method Bulat L.P., Drabkin I.A., Karatayev V.V., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Lavrentev M.G., Sorokin A.I., Pshenai-Severin D.A., Blank V.D., Pivovarov G.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. Journal of Electronic Materials. 2013 – V. 42. – №. 7. – P. 2110-2113.
27 Thermoelectric properties of the (Bi,Sb)2Te3-based material obtained by spark plasma sintering Drabkin I.A., Karataev V.V., Osvenskii V.B., Parkhomenko Y.N., Sorokin A.I., Bulat L.P., Pivovarov G.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Y. Russian Microelectronics. 2013 – V. 42. – №. 8. – P. 448-452.
28 Структура и механические свойства кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония после термообработки Борик М.А., Бублик В.Т., Кулебякин А.В., Ломонова Е.Е., Милович Ф.О., Мызина В.А., Осико В.В., Серяков С.В., Табачкова Н.Ю. Физика Твердого Тела. 2013 – Т. 55. – №. 8. – С. 1578-1584.
29 Структура и свойства термоэлектрических материалов на основе твердых растворов Bi2(SeTe)3 И (BiSb)2Te3, полученных методом равноканального углового прессования Богомолов Д.И., Бублик В.Т., Скипидаров С.Я., Табачкова Н.Ю. Неорганические Материалы. 2013 – Т. 49. – №. 8. – С. 814-819.
30 Comparison of structures of Bi0.5Sb1.5Te3 thermoelectric materials, obtained by the hot-pressing and spark plasma sintering methods Bublik V.T., Bogomolov D.I., Dashevskii Z.M., Drabkin I.A., Karataev V.V., Lavrent’ev M.G., Pivovarov G.I., Osvenskii V.B., Sorokin A.I., Tabachkova N.Yu. Russian Microelectronics. 2012 – V. 41. – №. 8. – P. 516-520.
31 Effect of Y2O3 stabilizer content and annealing on the structural transformations of ZrO2 Borik M.A., Bublik V.T., Vishnyakova M.A., Kulebyakin A.V., Lomonova E.E., Myzina V.A., Milovich F.O., Osiko V.V., Tabachkova N.Yu. Inorganic Materials. 2012 – V. 48. – №. 2. – P. 156-160.
32 Experiment-calculated study on structure formation of thermoelectric material based on solid solutions of bismuth and antimony chalcogenides prepared by hot extrusion method Lavrentyev M.G., Osvensky V.B., Mezhennyi M.V., Prostomolotov A.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. Journal of Thermoelectricity. 2012 – №. 4. – P. 33-38.
33 Structure of materials based on bismuth chalcogenides and obtained by torsional severe plastic deformation Bogomolov D.I., Bublik V.T., Sokolov O.B., Tabachkova N.Yu. Metal Science and Heat Treatment. 2012 – V. 54. – №. 7-8. – P. 383-386.
34 Влияние стабилизирующей примеси Y2O3 и отжига на структурные превращения в ZrO2 Борик М.А., Бублик В.Т., Вишнякова М.А., Кулебякин А.В., Ломонова Е.Е., Мызина В.А., Милович Ф.О., Осико В.В., Табачкова Н.Ю. Неорганические Материалы. 2012 – Т. 48. – №. 2. – С. 200-204.
35 Изменение структуры приконтактной области термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута при повышенных температурах Бублик В.Т., Воронин А.И., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2012 – №. 2. – С. 17-20.
36 Особенности методики исследования кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония Борик М.А., Бублик В.Т., Кулебякин А.В., Ломонова Е.Е., Мызина В.А., Милович Ф.О., Табачкова Н.Ю. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2012 – Т. 78. – №. 7. – С. 26-30.
37 Расчетно-экспериментальное исследование формирования структуры термоэлектрического материала на основе твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы, полученных методом горячей экструзии Лаврентьев М.Г., Освенский В.Б., Меженный М.В., Простомолотов А.И., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Термоэлектричество. 2012 – №. 4. – С. 36-42.
38 Расчетно-экспериментальное исследование формирования структуры термоэлектрического материала на основе твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы, полученных методом горячей экструзии Лаврентьев М.Г., Освенский В.Б., Меженный М.В., Простомолотов А.И., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Термоэлектричество. 2012 – №. 4. – С. 36-42.
39 Структура материалов на основе халькогенидов висмута, полученных интенсивной пластической деформацией кручением Богомолов Д.И., Бублик В.Т., Соколов О.Б., Табачкова Н.Ю. Металловедение и Термическая Обработка Металлов. 2012 – №. 8. – С. 8-12.
40 Структура объемного термоэлектрического материала на основе (Bi,Sb)2Te3, полученного методом искрового плазменного спекания Бублик В.Т., Драбкин И.А., Каратаев В.В., Лаврентьев М.Г., Освенский В.Б., Пархоменко Ю.Н., Пивоваров Г.И., Сорокин А.И., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2012 – №. 3. – С. 10-18.
41 Термоэлектрические свойства материала на основе (Bi,Sb)2Te3, полученного методом искрового плазменного спекания Драбкин И.А., Каратаев В.В., Освенский В.Б., Пархоменко Ю.Н., Сорокин А.И., Булат Л.П., Пивоваров Г.И., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2012 – №. 3. – C. 18-22.
42 Analysis of anisotropy of properties on the basis of studies of texture of coarse-grained ingots of thermoelectric materials Bublik V.T., Voronin A.I., Vygovskaya E.A., Ponomarev V.F., Tabachkova N.Yu., Toropova O.V. Inorganic Materials. 2011 – V. 47. – №. 14. – P. 1563-1568.
43 Atomic structure and methods for structural investigations how ingot growth conditions of Bi2Te2.7Se0.3 solid solutions influence the physical properties of anisotropy Bublik V.T., Voronin A.I., Vygovskaya E.A., Ponomarev V.F., Tabachkova N.Yu., Toropova O.V. Russian Microelectronics. 2011 – V. 40. – №. 8. – P. 634-640.
44 Mechanisms of improvement of thermoelectric efficiency in bulk nanostructured polycrystals Bulat L.P., Pshenai-Severin D.A., Drabkin I.A., Karataev V.V., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Blank V.D., Pivovarov G.I., Bublik V.T., Tabachkova N.Yu. Journal of Thermoelectricity. 2011 – №. 1. – P. 13-18.
45 Specific features of formation of radiation defects in the silicon layer in “silicon-on-insulator” structures Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Semiconductors. 2011 – V. 45. – №. 6. – P. 738-742.
46 Structure and phase composition studies of partially stabilized zirconia Borik M.A., Bublik V.T., Vishnyakova M.A., Lomonova E.E., Myzina V.A., Tabachkova N.Yu., Timofeev A.A. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2011 – V. 5. – №. 1. – P. 166-171.
47 Structure of Bi2Te2.7Se0.3 solid solution after the intensive plastic torsional strain Sokolov О.B., Bogomolov D.I., Bublik V.Т., Tabachkova N.Yu. Journal of Thermoelectricity. 2011 – №. 4. – P. 59-63.
48 Structure of profiled crystals based on solid solutions of Bi2Te3 and their x-ray diagnostics Voronin A., Bublik V., Tabachkova N., Belov Yu. Journal of Electronic Materials. 2011 – V. 40. – №. 5. – P. 794-800.
49 Исследование структуры и фазового состава частично стабилизированного диоксида циркония Борик М.А., Бублик В.Т., Вишнякова М.А., Ломонова Е.Е., Мызина В.А., Табачкова Н.Ю., Тимофеев А.А. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2011 – №. 2. – С. 69-75.
50 Механизмы увеличения термоэлектрической эффективности в объемных наноструктурных поликристаллах Булат Л.П., Пшенай-Северин Д.А., Драбкин И.А., Каратаев В.В., Освенский В.Б., Пархоменко Ю.Н., Бланк В.Д., Пивоваров Г.И., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Термоэлектричество. 2011 – №. 1. – С. 14-19.
51 Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний на изоляторе» Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Физика и Техника Полупроводников. 2011 – Т. 45. – №. 6. – С. 754-758.
52 Сопоставление структуры термоэлектрического материала Bi0,5Sb1,5Te3, полученного методами горячего прессования и искрового плазменного спекания Бублик В.Т., Богомолов Д.И., Дашевский З.М., Драбкин И.А., Каратаев В.В., Лаврентьев М.Г., Пивоваров Г.И., Освенский В.Б., Сорокин А.И., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2011 – №. 2. – С. 61-65.
53 Структура твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3 после интенсивной пластической деформации кручением Соколов О.Б., Богомолов Д.И., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю. Термоэлектричество. 2011 – №. 4. – С. 61-66.
54 Bulk nanostructured polycrystalline p-Bi-Sb-Te thermoelectrics obtained by mechanical activation method with hot pressing Bulat L.P., Bublik V.T., Drabkin I.A., Karataev V.V., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Pivovarov G.I., Pshenai-Severin D.A., Tabachkova N.Yu. Journal of Electronic Materials. 2010 – V. 39. – №. 5. – P. 1650-1653.
55 Анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры крупнозернистых слитков термоэлектрических материалов Бублик В.Т., Выговская Е.А., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю., Торопова О.В., Воронин А.И. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2010 – №. 2. – С. 28-33.
56 Влияние облучения тепловыми нейтронами на распад твердого раствора кислорода в кремнии Енишерлова К.Л., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Темпер Э.М. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 4. – С. 47-52.
57 Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3  на анизотропию физических свойств Бублик В.Т., Воронин А.И., Выговская Е.А., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю., Торопова О.В. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 1. – С. 58-62.
58 К методике абсолютизации измерений интенсивности диффузного рассеяния на основе измерений теплового диффузного рассеяния Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Жевнеров Е.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2010 – №. 9. – С. 89-94.
59 О возможности сохранения наноструктурного состояния при получении объемного термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы Бублик В.Т., Булат Л.П., Каратаев В.В., Марончук И.И., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Пшенай- Северин Д.А., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 3-2. – С. 37-41.
60 О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP Бублик В.Т., Воронова М.И., Табачкова Н.Ю., Щербачев К.Д. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 3. – С. 60-63.
61 Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Говорков А.В., Белогорохов И.А., Щербачёв К.Д., Бублик В.Т., Авдеев О.А., Чемекова Т.Ю., Мохов Е.Н., Нагалюк С.С., Хелава Х., Макаров Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 2. – С. 58-62.
62 Bulk nanostructured thermoelectrics based on bismuth telluride Bulat L.P., Bublik V.T., Drabkin I.A., Karatayev V.V., Osvensky V.B., Pivovarov G.I., Pshenai-Severin D.A., Tatyanin Е.V., Тabachkova N.Yu. Journal of Thermoelectricity. 2009 – №. 3. – P. 67-72.
63 Single-crystal X-ray diffraction analysis of nonplanar autoepitaxial silicon layers Bublik V.T., Kozhitov L.V., Kondratenko T.T. Inorganic Materials. 2009 – V. 45. – №. 14. – P. 1610-1613.
64 Structure, electrical and magnetic properties, and the origin of the room temperature ferromagnetism in Mn-implanted Si Orlov A.F., Balagurov L.A., Kulemanov I.V., Parkhomenko Y.N., Granovsky A.B., Perov N.S., Gan'Shina E.A., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Kartavykh A.V., Vdovin V.I., Sapelkin A., Saraikin V.V., Agafonov Y.A., Zinenko V.I., Rogalev A., Smekhova A. Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2009 – V. 109. – №. 4. – P. 602-608.
65 Анализ текстуры в слитках халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных резкой слоев Белов Ю.М., Бублик В.Т., Воронин А.И., Выговская Е.А., Понаморев В.Ф., Табачкова Н.Ю., Торопова О.В. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2009 – №. 5. – С. 28-31.
66 Контроль качества обработки поверхности подложек из лейкосапфира с использованием рентгеновской дифракции Щербачев К.Д., Воронова М.И., Бублик В.Т., Дерябин А.Н., Хохлов А.И., Выговская Е.А., Торопова О.В. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 2. – С. 44-49.
67 Методы исследования механических свойств и структуры наноматериалов для термоэлектрических охладителей Булат Л.П., Табачкова Н.Ю., Бублик В.Т., Каратаев В.В., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И. Вестник Международной Академии Холода. 2009 – №. 3. – С. 4-7.
68 Объемные наноструктурные термоэлектрики на основе теллурида висмута Булат Л.П., Бублик В.Т., Драбкин И.А., Каратаев В.В., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Пшенай-Северин Д.А., Татьянин Е.В., Табачкова Н.Ю. Термоэлектричество. 2009 – №. 3. – С. 70-75.
69 Определение глубины нарушенных слоев крупнозернистых слитков термоэлектрических материалов по характеру изменения текстуры поверхностных слоев Белов Ю.М., Бублик В.Т., Воронин А.И., Выговская Е.А., Понаморев В.Ф., Табачкова Н.Ю., Торопова О.В. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 2. – С. 32-35.
70 Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием Новодворский О.А., Горбатенко Л.С., Панченко В.Я., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Венцель К., Барта Й.В., Бублик В.Т., Щербачев К.Д. Физика и Техника Полупроводников. 2009 – Т. 43. – №. 4. – С. 439-444.
71 Связь свойств и структурных характеристик термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы Бублик В.Т., Булат Л.П., Каратаев В.В., Марончук И.И., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Пшенай-Северин Д.А., Сагалова Т.Б., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 4. – С. 61-64.
72 Формирование структуры в процессе горячей экструзии стержней термоэлектрических твердых растворов на основе халькогенидов висмута Бублик В.Т., Освенский В.Б., Каратаев В.В., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 2. – С. 49-52.
73 Electrical and structural properties of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterojunctions Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Markov A.V., Yugova T.G., Dabiran A.M., Wowchak A.M., Cui B., Osinsky A.V., Chow P. P., Pearton S.J., Scherbatchev K.D., Bublik V.T. Journal of Applied Physics. 2008 – V. 104. – №. 5. – P. 053702-1-6.
74 Влияние условий кристаллизации на структуру пластин твердых растворов термоэлектрических материалов на основе Bi2Te3 выращенных из расплава Аленков В.В., Белов Ю.М., Бублик В.Т., Воронин А.И., Пономарев В.Ф., Рябинин Д.Г., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2008 – №. 2. – С. 23-25.
75 Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Енишерлова К.Л., Русак Т.Ф. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2008 – Т. 74. – №. 5. – С. 28-34.
76 Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия Филатов П.А., Бублик В.Т., Марков А.В., Щербачев К.Д., Воронова М.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2008 – №. 4. – С. 57-62.
77 Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава Филатов П.А., Бублик В.Т., Маркова Т.И., Щербачев К.Д., Воронова М.И. Кристаллография. 2008 – Т. 53. – №. 2. – С. 283-291.
78 Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn Орлов А.Ф., Агафонов Ю.А., Балагуров Л.А., Бублик В.Т., Зиненко В.И., Перов Н.С., Сарайкин В.В., Щербачев К.Д. Кристаллография. 2008 – Т. 53. – №. 5. – С. 843-846.
79 Radiation-induced structural transformations in a silicon layer of SOI Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M., Alves E., Barradas N.P. Physica Status Solidi (A). Applications and Materials. 2007 – V. 204. – №. 8. – P. 2645-2650.
80 Изучение микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации Филатов П.А., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Марков А.В., Воронова М.И. Кристаллография. 2007 – Т. 52. – №. 2. – С. 264-269.
81 Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons Boyko V.M., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Kolin N.G., Mercurisov D.I. Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006 – V. 371. – №. 2. – P. 272-279.
82 Fermi level pinning in heavily neutron-irradiated GaN Polyakov A. Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Markov A.V., Kolin N.G., Merkurisov D.I., Boiko V.M., Shcherbatchev K.D., Bublik V.T., Voronova M.I., Lee I-H., Lee C.R., Pearton S.J., Dabirian A., Osinsky A.V. Journal of Applied Physics. 2006 – V. 100. – P. 093715-1-4.
83 Neutron irradiation effects in p-GaN Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Dabiran A.M., Osinsky A.V., Pearton S.J. Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2006 – V. 24. – №. 5. – P. 2256-2261.
84 Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons Boyko V.M., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Kolin N.G., Mercurisov D.I. Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006 – V. 373. – №. 1. P. 82-89.
85 Анализ реальной структуры ионоимплантированных слоев на карте обратного пространства Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Шалимов А. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 2. – С. 64-68.
86 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP Бойко В.М., Бублик В.Т., Щербачев К.Д, Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Физика и Техника Полупроводников. 2006 – Т. 40. – №. 6. – С. 641-649.
87 Влияние содержания B2O3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации Филатов П.А., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Марков А.В., Воронова М.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 3. – С. 78-80.
88 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок Бойко В.М., Бублик В.Т., Щербачев К.Д, Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Физика и Техника Полупроводников. 2006 – Т. 40. – №. 7. – С. 769-777.
89 Особенности радиационно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 2. – С. 73-77.
90 Улучшение свойств термоэлектрических материалов Bi2Te27Se0.3 путем создания экструзией оптимальной структуры Освенский В.Б., Каратаев В.В., Бублик В.Т., Сагалова Т.Б., Табачкова Н.Ю. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 4. – С. 67-70.
91 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и отжигов Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2005 – №. 3. – С. 16-25.
92 The effect of in situ photoexcitation on the generation of damaged structures during ion implantation into Si wafers Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Journal of Physics D: Applied Physics. 2004 – V. 38. – P. A126-A131 .
93 The influence of in situ photoexcitation on a defect structure generation in Ar+ implanted GaAs(001) crystals revealed by high-resolution x-ray diffraction and Rutherford backscattering spectroscopy Chtcherbatchev K.D., Bublik V.T., Markevich A.S., Mordkovich V.N., Alves E., Barradas N.P., Sequeira A.D. Journal of Physics D: Applied Physics. 2003 – V. 36. – P. A143-A147.
94 Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев (Обобщающая статья) Щербачев К.Д., Курипятник А.В., Бублик В.Т. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2003 – Т. 69. – №. 6. – С. 23-32.
95 Behaviour of implanted oxygen and nitrogen in halogen lamp annealed silicon Belogorokhov A.I., Bublik V.T., Scherbachev K.D., Parkhomenko Yu.N., Makarov V.V., Danilin A.B. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1999 – V. 147. – №. 1-4. – P. 320–326.
96 Microdefect Density Determination by X-Ray Huang Scattering Normalized over Thermal Diffuse Scattering Charnyi L.A., Sherbachev K.D., Bublik V.T. Physica Status Solidi (A). Applications and Materials. 1991 – V. 128. – №. 2. – P. 303-309.

Объекты интеллектуальной собственности

# Наименование
объекта
интеллектуальной
собственности
Вид объекта Дата приоритета Номер Дата выдачи Авторы
1 Способ создания антидиффузионного барьера на поверхности пластин из термоэлектрических материалов Патент 03.11.2005 RUS 2293399 10.02.2007 Освенский В.Б., Малькова Н.В., Астахов М.В., Бублик В.Т., Табачкова Н.Ю.