Антипов Владимир Валентинович

Ведущий инженер программист, к.т.н.

+74959550033

Аудитория: К-418

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Study of LiNbO3 Single Crystals with a Regular Domain Structure by Piezoresponse Force Microscopy Kiselev D.A., Bykov A.S., Zhukov R.N., Antipov V.V., Malinkovich M.D., Parkhomenko Yu.N. Crystallography Reports. 2012 – V. 57. – №. 6. – P. 876–880.
2 Исследование доменной структуры в монокристаллах LiNbO3 методом силовой микроскопии пьезоотклика Антипов В.В., Быков А.С., Жуков Р.Н., Киселев Д.А., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Кристаллография. 2012 – Т. 57. – №. 6. – С. 876–880.
3 Исследование ориентационной зависимости латерального пьезоотклика в Y-срезе периодически поляризованных монокристаллов ниобата лития Антипов В.В., Быков А.С., Киселев Д.А., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2012 – №. 3. – C. 22-25.
4 Формирование бидоменной структуры в пластинах монокристалла ниобата лития методом импульсного светового отжига Антипов В.В., Быков А.С., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 3. – С. 23-26.
5 Formation of bidomain structure in lithium niobate single crystals by electrothermal method Antipov V.V., Bykov A.S., Malinkovich M.D. Ferroelectrics. 2008 – V.374. – №. 8. – Р701-708.
6 Формирование бидоменной структуры в пластинах монокристалла ниобата лития электротермическим методом Антипов В.В., Быков А.С., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2008 – №. 3. – С. 18-22.
7 Характеризация периодических доменных структур в кристаллах ниобата лития методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции Антипов В.В., Коханчик Л.С., Иржак Д.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2008 – №. 7. – C. 41-48.
8 Исследование границ в регулярных доменных структурах, сформированных послеростовым методом в сегнетоэлектрическом кристалле ниобата лития Антипов В.В., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Щетинкин С.А. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2006 – №. 2. – C. 61-63.
9 Применение методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и топографии для анализа регулярных доменных структур в сегнетоэлектрическом кристалле LiTaO3 Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Рощупкина Е.Д., Антипов В.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2006 – №. 2. – С. 78-82.
10 Исследование регулярных доменных структур в сегнетоэлектрическом кристалле LiNbO3 методами рентгеновской топографии и дифрактометрии Рощупкин Д.В., Рощупкина Е.Д., Антипов В.В., Редькин Б.С. Известия РАН. Серия Физическая. 2005 – Т. 69. – №. 2. – С. 241-244.
11 Сканирующий зондовый микроскоп: некоторые новые решения Пархоменко Ю.Н., Малинкович М.Д., Антипов В.В. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2005 – №. 4. – С. 42-49.
12 High-resolution x-ray topography and diffraction study of bulk regular domain structures in LiNbO3 crystals Antipov V.V., Blistanov A.A., Roshchupkina E.D., Tucoulou R., Ortega L., Roshchupkin D.V. Applied Physics Letters 2004 – V.85. – №. 22. – P. 5325-5327.

Перечень грантов и проектов

# Наименование проекта Номер контракта Источник финансирования Дата начала работ Дата окончания работ
1 Разработка технологии синтеза селективно поглощающих тонкоплёночных биосовместимых нанокомпозиционных покрытий медицинских имплантов для гипертермического воздействия на очаги опухолевых заболеваний 02.513.12.3102 ФЦП 09.10.2009 01.10.2010
2 Разработка технологии получения структурированных пьезоэлектрических материалов и создание на их основе компонентов систем перемещения, в том числе медицинского назначения, в микро- и нано диапазонах 02.513.11.3214 ФЦП 16.05.2007 31.10.2010

Объекты интеллектуальной собственности

# Наименование
объекта
интеллектуальной
собственности
Вид объекта Дата приоритета Номер Дата выдачи Авторы
1 Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов Патент 08.12.2011 RUS 2492283 10.09.2013 Малинкович М.Д., Антипов В.В., Быков А.С.
2 Способ поляризации сегнетоэлектрического материала неоднородным тепловым полем Ноу-Хау 08.10.2008 292-339-2008 08.10.2008 Пархоменко Ю.Н., Малинкович М.Д., Антипов В.В., Быков А.С.
3 Способ формирования двухдоменных структур в сегнетоэлектрических монокристаллах в неоднородном электрическом поле для систем точного перемещения и позиционирования в микро- и нано-диапазонах Ноу-Хау 08.10.2008 293-339-2008 08.10.2008 Пархоменко Ю.Н., Малинкович М.Д., Антипов В.В., Быков А.С.
4 Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования Патент 22.07.2003 RUS 2233354 27.07.2004 Антипов В.В., Блистанов А.А., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.
5 Способ применения пьезоэлектрических монокристаллов со специально сформированной доменной структурой в устройствах точного позиционирования Ноу-Хау 14.05.2003 28-034-2003 14.05.2003 Антипов В.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.