Эйдельман Ксения Борисовна

Ассистент

+74956384445

Аудитория: Б-009

SPIN: 9569-8129

Ксения Борисовна Эйдельман родилась 22 сентября 1989 года. В 2012 году по окончании НИУ «МИЭТ» присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Микро и нано технологии». Выпускная квалификационная работа на тему «Исследование кремний-углеродных пленок с содержанием карбидов различных металлов» проводилась в ЦКП МИСиС. С 2009-2013 года инженер в компании «Телеком-СТВ».

Стипендиат программы У.М.Н.И.К. 2013 года.

.

Область научных интересов:

Материаловдение, наноматериалы, наночастицы, фотовольтаика, ПЭМ, ионная имплантация.

Учебные курсы:

  • Защита интеллектуальной собственности
  • Материаловедение полупроводников и диэлектриков

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Evolution of size distribution and structure of Si and SiO2 nanoparticles: laser-assisted formation and fragmentation Eidelman K., Gudkov D., Segbefia O., Ageev E., Krivonosov A., Matuhina A. Journal of Physics: Conference Series. 2017 – V. 917. – P. 032027-1-4.
2 Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted silicon Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Y., Eidelman K.B., Ksenich S.V., Batrakov A.A. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2017 – V. 11. – №. 3. – P. 625-633.
3 Влияние температуры и атмосферы отжига на свойства кремния, легированного ионами цинка Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Затекин В.В., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Эйдельман К.Б., Ксенич С.В., Батраков А.А. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2017 – №. 6. – С. 56-65.
4 Formation of nanoparticles containing zinc in Si(001) by ion-beam implantation and subsequent annealing Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Privezentsev V.V. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016 – V. 10. – №. 3. – P. 597-602.
5 Investigation of silicon doped by zinc ions with a large dose Privezentsev V.V., Tabachkova N.Yu., Eidelman K.B., Ksenich S.V. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2016 – V. 80. – №. 12. – P. 1421-1426.
6 Исследование кремния, легированного ионами цинка с большой дозой Привезенцев В.В., Табачкова Н.Ю., Эйдельман К.Б., Ксенич С.В. Известия РАН. Серия Физическая. 2016 – Т. 80. – №. 12. – С. 1612-1618.
7 Формирование цинксодержащих наночастиц в Si (001) методом ионной имплантации с последующим отжигом Эйдельман К.Б., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Привезенцев В.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2016 – №. 6. – С. 31-36.
8 Characterization of crystal structure features of a SIMOX substrate Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Podgornii D.A., Mordkovich V.N. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2015 – V. 365 Part A. – P. 141-145.
9 Influence of Order of Double Step Implantation of 64Zn+ and 16O+ Ions into Si on Formation of Zinc-containing Nanoparticles Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Goryachev A.V., Migunov D.M., Dronova D.A. Journal Of Nano- And Electronic Physics. 2015 – V. 7. – №. 4. – P. 04028-1-3.
10 Photoelectric converters in a system with spectral splitting of the solar energy Kurin S.Y., Antipov A.A., Usikov A.S., Makarov Y.N., Doronin V.D., Papchenko B.P., Helava H., Voronova M.I., Eidel’man K.B. Russian Microelectronics. 2014 – V. 43. – №. 8. – P. 559-564.
11 Фотоэлектрические преобразователи в системе со спектральным расщеплением солнечной энергии Курин С.Ю., Доронин В.Д., Антипов А.А., Папченко Б.П., Хелава Х.И., Воронова М.И., Усиков А.С., Макаров Ю.Н., Эйдельман К.Б. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2013 – №. 3. – C. 46-50.