Щербачев Кирилл Дмитриевич

Cтарший научный сотрудник, к.ф-м.н.

+74956384445

Аудитория: К-404

SPIN: 9609-2075

ResearcherID: A-5837-2014

Кирилл Дмитриевич Щербачев родился 29 января 1967 года, окончил МИСиС в 1988 году, в 1994 получил степень кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 Физика полупроводников. Тема диссертации "Особенности микродефектов в монокристаллах соединений АIIIВV, выявленные методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей".

Область научных интересов:

Рентгеноструктурные исследования конденсированных фаз, материаловедение

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted silicon Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Y., Eidelman K.B., Ksenich S.V., Batrakov A.A. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2017 – V. 11. – №. 3. – P. 625-633.
2 Influence of the Chemical Activity of Implanted Ions on the Structure of the Damaged Si Layer in SIMOX Substrates Shcherbachev K., Mordkovich V., Skryleva E., Kiselev D. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2017 – V. 14. – №. 12. – P. 1700137-1-7.
3 Investigation of nanostructured Al-10 wt.% Zr material prepared by ball milling for high temperature applications Prosviryakov A.S., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu. Materials Characterization. 2017 – V. 123. – P. 173-177.
4 Optical properties, defects, and composition of La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals Buzanov O.A., Voronova M.I., Zabelina E.V., Kozlova A.P., Kozlova N.S., Skryleva E.A., Spassky D.A., Shcherbachev K.D. Inorganic Materials. 2017 – V. 53. – №. 5. – P. 502-509.
5 Влияние температуры и атмосферы отжига на свойства кремния, легированного ионами цинка Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Затекин В.В., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Эйдельман К.Б., Ксенич С.В., Батраков А.А. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2017 – №. 6. – С. 56-65.
6 Evolution of real structure in Ge-Si mosaic crystals Borisova D., Abrosimov N.V., Shcherbachev K., Klemm V., Schreiber G., Heger D., Juda U., Bublik V., Oettel H. Crystal Research and Technology. 2016 – V. 51. – №. 12. – P. 742-751.
7 Formation of nanoparticles containing zinc in Si(001) by ion-beam implantation and subsequent annealing Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Privezentsev V.V. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016 – V. 10. – №. 3. – P. 597-602.
8 Synthesis and Nanoscale Characterization of LiNbO3 Thin Films Deposited on Al2O3 Substrate by RF Magnetron Sputtering under Electric Field Zhukov R.N., Kiselev D.A., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Ksenich S.V., Kubasov I.V., Temirov A.A., Timushkin N.G., Chichkov M.V., Bykov A.S., Malinkovich M.D., Parkhomenko Yu.N. Journal Of Nano- And Electronic Physics. 2016 – V. 8. – №. 4. – P. 04025-1-4.
9 Формирование цинксодержащих наночастиц в Si (001) методом ионной имплантации с последующим отжигом Эйдельман К.Б., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Привезенцев В.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2016 – №. 6. – С. 31-36.
10 Characterization of crystal structure features of a SIMOX substrate Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Podgornii D.A., Mordkovich V.N. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2015 – V. 365 Part A. – P. 141-145.
11 Influence of Order of Double Step Implantation of 64Zn+ and 16O+ Ions into Si on Formation of Zinc-containing Nanoparticles Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu., Goryachev A.V., Migunov D.M., Dronova D.A. Journal Of Nano- And Electronic Physics. 2015 – V. 7. – №. 4. – P. 04028-1-3.
12 Microstructural characterization of mechanically alloyed Al–Cu–Mn alloy with zirconium Prosviryakov A.S., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu. Materials Science and Engineering: A. 2015 – V. 623. – P. 109-113.
13 Effect of annealing on the structure and phase composition of thin electro-optical lithium niobate films Kiselev D.A., Zhukov R.N., Bykov A.S., Voronova M.I., Shcherbachev K.D., Malinkovich M.D., Parkhomenko Yu.N. Inorganic Materials. 2014 – V. 50. – №. 4. – P. 419-422.
14 Влияние отжига на структуру и фазовый состав тонких электрооптических пленок ниобата лития Киселев Д.А., Жуков Р.Н., Быков А.С., Воронова М.И., Щербачев К.Д., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Неорганические Материалы. 2014 – Т. 50. – №. 4. – С. 453-456.
15 New trends in the development of the technology for the production of ultraviolet light-emitting diodes Kurin S.Yu., Antipov A.A., Barash I.S., Bublik V.T., Helava H., Mokhov E.N., Nagalyuka S.S., Roenkov A.D., Chemekova T.Yu., Scherbatchev K.D., Makarov Yu.N. Russian Microelectronics. 2013 – V. 42. – №. 8. – P. 477-482.
16 Исследование эффектов, индуцированных слабым магнитным полем в порошках железа Скрылева Е.А., Табачкова Н.Ю., Щербачев К.Д., Воронова М.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2013 – №. 3. – C. 54-59.
17 Defect structure in Zn+ implanted Si: HRXRD study Shcherbachev K., Privezentsev V., Saraykin V., Podgornyy D. Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science. 2011 – V. 208. – №. 3. – P. 653-657.
18 Influence of implantation conditions of He+ ions on the structure of a damaged layer in GaAs(001) Shcherbachev K., Bailey M.J. Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science. 2011 – V. 208. – №. 11. – P. 2576-2581.
19 Specific features of formation of radiation defects in the silicon layer in “silicon-on-insulator” structures Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Semiconductors. 2011 – V. 45. – №. 6. – P. 738-742.
20 Изучение влияния условий имплантации ионов He+ на структуру нарушенного слоя в подложках GaAs Щербачев К.Д., Bailey M. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2011 – №. 1. – С. 57-62.
21 Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний на изоляторе» Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Физика и Техника Полупроводников. 2011 – Т. 45. – №. 6. – С. 754-758.
22 Epitaxial growth and properties of MgxZn1-xO films produced by pulsed laser deposition Lotin A.A., Novodvorsky O.A., Khaydukov E.V., Glebov V.N., Rocheva V.V., Khramova O.D., Panchenko V.Y., Wenzel C., Trumpaicka N., Chtcherbachev K.D. Semiconductors. 2010 – V. 44. – №. 2. – P. 246-250.
23 Влияние облучения тепловыми нейтронами на распад твердого раствора кислорода в кремнии Енишерлова К.Л., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Темпер Э.М. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 4. – С. 47-52.
24 Исследование эволюции дефектной структуры слоя Si после имплантации ионов 64Zn+ и последующих термических отжигов Щербачев К.Д., Привезенцев В.В., Сарайкин В.В., Подгорный Д.А. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 4. – C. 61-65.
25 К методике абсолютизации измерений интенсивности диффузного рассеяния на основе измерений теплового диффузного рассеяния Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Жевнеров Е.В. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2010 – №. 9. – С. 89-94.
26 О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP Бублик В.Т., Воронова М.И., Табачкова Н.Ю., Щербачев К.Д. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 3. – С. 60-63.
27 Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Говорков А.В., Белогорохов И.А., Щербачёв К.Д., Бублик В.Т., Авдеев О.А., Чемекова Т.Ю., Мохов Е.Н., Нагалюк С.С., Хелава Х., Макаров Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2010 – №. 2. – С. 58-62.
28 Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgXZn1-XO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения Лотин А.А., Новодворский О.А., Хайдуков Е.В., Рочева В.В., Храмова О.Д., Панченко В.Я., Венцель К., Трумпайска Н., Щербачев К.Д. Физика и Техника Полупроводников. 2010 – Т. 44. – №. 2. – С. 260-264.
29 Structure, electrical and magnetic properties, and the origin of the room temperature ferromagnetism in Mn-implanted Si Orlov A.F., Balagurov L.A., Kulemanov I.V., Parkhomenko Y.N., Granovsky A.B., Perov N.S., Gan'Shina E.A., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Kartavykh A.V., Vdovin V.I., Sapelkin A., Saraikin V.V., Agafonov Y.A., Zinenko V.I., Rogalev A., Smekhova A. Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2009 – V. 109. – №. 4. – P. 602-608.
30 Контроль качества обработки поверхности подложек из лейкосапфира с использованием рентгеновской дифракции Щербачев К.Д., Воронова М.И., Бублик В.Т., Дерябин А.Н., Хохлов А.И., Выговская Е.А., Торопова О.В. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2009 – №. 2. – С. 44-49.
31 Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием Новодворский О.А., Горбатенко Л.С., Панченко В.Я., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Венцель К., Барта Й.В., Бублик В.Т., Щербачев К.Д. Физика и Техника Полупроводников. 2009 – Т. 43. – №. 4. – С. 439-444.
32 Electrical and structural properties of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterojunctions Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Markov A.V., Yugova T.G., Dabiran A.M., Wowchak A.M., Cui B., Osinsky A.V., Chow P. P., Pearton S.J., Scherbatchev K.D., Bublik V.T. Journal of Applied Physics. 2008 – V. 104. – №. 5. – P. 053702-1-6.
33 Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Енишерлова К.Л., Русак Т.Ф. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2008 – Т. 74. – №. 5. – С. 28-34.
34 Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия Филатов П.А., Бублик В.Т., Марков А.В., Щербачев К.Д., Воронова М.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2008 – №. 4. – С. 57-62.
35 Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава Филатов П.А., Бублик В.Т., Маркова Т.И., Щербачев К.Д., Воронова М.И. Кристаллография. 2008 – Т. 53. – №. 2. – С. 283-291.
36 Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn Орлов А.Ф., Агафонов Ю.А., Балагуров Л.А., Бублик В.Т., Зиненко В.И., Перов Н.С., Сарайкин В.В., Щербачев К.Д. Кристаллография. 2008 – Т. 53. – №. 5. – С. 843-846.
37 Radiation-induced structural transformations in a silicon layer of SOI Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M., Alves E., Barradas N.P. Physica Status Solidi (A). Applications and Materials. 2007 – V. 204. – №. 8. – P. 2645-2650.
38 Изучение микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации Филатов П.А., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Марков А.В., Воронова М.И. Кристаллография. 2007 – Т. 52. – №. 2. – С. 264-269.
39 Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons Boyko V.M., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Kolin N.G., Mercurisov D.I. Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006 – V. 371. – №. 2. – P. 272-279.
40 Fermi level pinning in heavily neutron-irradiated GaN Polyakov A. Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Markov A.V., Kolin N.G., Merkurisov D.I., Boiko V.M., Shcherbatchev K.D., Bublik V.T., Voronova M.I., Lee I-H., Lee C.R., Pearton S.J., Dabirian A., Osinsky A.V. Journal of Applied Physics. 2006 – V. 100. – P. 093715-1-4.
41 Neutron irradiation effects in p-GaN Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Dabiran A.M., Osinsky A.V., Pearton S.J. Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2006 – V. 24. – №. 5. – P. 2256-2261.
42 Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons Boyko V.M., Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Voronova M.I., Kolin N.G., Mercurisov D.I. Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006 – V. 373. – №. 1. P. 82-89.
43 Анализ реальной структуры ионоимплантированных слоев на карте обратного пространства Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Шалимов А. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 2. – С. 64-68.
44 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP Бойко В.М., Бублик В.Т., Щербачев К.Д, Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Физика и Техника Полупроводников. 2006 – Т. 40. – №. 6. – С. 641-649.
45 Влияние содержания B2O3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации Филатов П.А., Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Марков А.В., Воронова М.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 3. – С. 78-80.
46 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок Бойко В.М., Бублик В.Т., Щербачев К.Д, Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Физика и Техника Полупроводников. 2006 – Т. 40. – №. 7. – С. 769-777.
47 Особенности радиационно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2006 – №. 2. – С. 73-77.
48 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и отжигов Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2005 – №. 3. – С. 16-25.
49 The effect of in situ photoexcitation on the generation of damaged structures during ion implantation into Si wafers Shcherbachev K.D., Bublik V.T., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Journal of Physics D: Applied Physics. 2004 – V. 38. – P. A126-A131 .
50 The influence of in situ photoexcitation on a defect structure generation in Ar+ implanted GaAs(001) crystals revealed by high-resolution x-ray diffraction and Rutherford backscattering spectroscopy Chtcherbatchev K.D., Bublik V.T., Markevich A.S., Mordkovich V.N., Alves E., Barradas N.P., Sequeira A.D. Journal of Physics D: Applied Physics. 2003 – V. 36. – P. A143-A147.
51 Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев (Обобщающая статья) Щербачев К.Д., Курипятник А.В., Бублик В.Т. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2003 – Т. 69. – №. 6. – С. 23-32.
52 Behaviour of implanted oxygen and nitrogen in halogen lamp annealed silicon Belogorokhov A.I., Bublik V.T., Scherbachev K.D., Parkhomenko Yu.N., Makarov V.V., Danilin A.B. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1999 – V. 147. – №. 1-4. – P. 320–326.
53 Formation of radiation-induced point defects in silicon doped thin films upon ion implantation and activating annealing Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Komarnitskaya E.A., Parkhomenko Yu.N., Vygovskaya E.A., Evgen'ev S.B. Crystallography Reports. 1999 – V. 44. – №. 9. – P. 1035-1041.
54 Structural analysis of buried conducting CoSi2 layers formed in Si by high-dose Co ion implantation Galayev A.A., Belogorohov A.I., Parkhomenko Yu.N., Chtcherbatchev K.D., Podgorny D.A., Diéguez A., Romano-Rodriguez A., Pérez-Rodríguez A., Morante J.R. Journal of Crystal Growth. 1998 – V. 187. – №. 3-4. – P. 435-443.
55 Studies of phase formation in CoSi2 buried layers fabricated using ion implantation Galaev A.A., Parkhomenko Yu.N., Podgornyi D.A., Shcherbachev K.D. Crystallography Reports. 1998 – V. 48. – №.2. – P. 311-316.
56 Microdefect Density Determination by X-Ray Huang Scattering Normalized over Thermal Diffuse Scattering Charnyi L.A., Sherbachev K.D., Bublik V.T. Physica Status Solidi (A). Applications and Materials. 1991 – V. 128. – №. 2. – P. 303-309.

Перечень грантов и проектов

# Наименование проекта Номер контракта Источник финансирования Дата начала работ Дата окончания работ
1 Создание управляемых элементов для прецизионной фотоники на основе электрооптических градиентных структур 14.578.21.0071 ФЦП 23.10.2014 31.12.2016
2 Разработка метода синтеза тонких нанокристаллических пленок ниобата лития для применения в нанооптике и нанофотонике 16.513.12.3023 ФЦП 10.10.2011 30.08.2012

Объекты интеллектуальной собственности

# Наименование
объекта
интеллектуальной
собственности
Вид объекта Дата приоритета Номер Дата выдачи Авторы
1 Способ контроля окисления поверхности порошков железа, восстановленных из оксидов железа, обработанных в магнитном поле Ноу-Хау 12.07.2013 36-249-2013 12.07.2013 Щербачев К.Д., Скрылева Е.А., Табачкова Н.Ю.