Комарницкая Елена Александровна

Доцент, к.ф-м.н., куратор групп МПП

+74952360304

Аудитория: Б-707

Комарницкая Елена Александровна родилась 21 апреля 1972 года, окончила МИСиС, в 2000 получила степень кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 Физика полупроводников. Тема диссертации "Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия".

Область научных интересов:

Рентгенодифракционные и спектроскопические методы анализа

Учебные курсы:

  • Спектроскопические методы исследования

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Formation of radiation-induced point defects in silicon doped thin films upon ion implantation and activating annealing Bublik V.T., Shcherbachev K.D., Komarnitskaya E.A., Parkhomenko Yu.N., Vygovskaya E.A., Evgen'ev S.B. Crystallography Reports. 1999 – V. 44. – №. 9. – P. 1035-1041.