Гостева Екатерина Александровна

Ассистент, к.ф-м.н.

+74956384445

Аудитория: Б-011

SPIN: 1259-6176

ResearcherID: А-9442-2014

Гостева Екатерина Александровна , окончила МИСиС в 2014 году, в 2018 получила степень кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 Физика полупроводников. Тема диссертации "Градиентно-пористые структуры кремния с графеноподобными слоями".

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Anti-Glare Coatings Based on Porous Silicon Structures Iwe I.A., Gosteva E.A., Starkov V.V., Sedlovets D.M., Mong O. ES Materials & Manufacturing. 2019 in Press
2 Silicon Structures with Variable Morphology of Pores Methods of Obtaining Physical and Optical Properties Starkov V.V., Gosteva E.A., Sedlovets D.M., Kah M.O. Journal of The Electrochemical Society. 2018 – V. 165. – №. 11. – P. E534-E539.
3 Water Splitting Using Porous Silicon Photo-electrodes for Hydrogen Production Ali M., Starkov V.V., Gosteva E.A., Druzhinin A.V., Sattar S. Journal of Physics: Conference Series. 2017 – V. 917. – P. 052008-1-6.
4 Антибликовые свойства градиентно-пористых кремниевых структур Гостева Е.А., Старков В.В., Пархоменко Ю.Н., Ках М.О., Иве И.А. Международный Научный Журнал Альтернативная Энергетика и Экология. 2017 – Т. 19-21. – С. 16-25.
5 Разложение воды под действием солнечного света при помощи электродов на основе пористого кремния Гостева Е.А. Международный Научный Журнал Альтернативная Энергетика и Экология. 2015 – Т. 183. – С. 14-19.
6 Формирование зарядовых насосов в структуре фотопреобразователей Старков В.В., Гусев В.А., Кулаковская Н.О., Гостева Е.А., Пархоменко Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2015 – Т. 18. – №. 4 – С. 279-284.
7 On the nature of cracks using single-crystalline silicon subjected to anodic etching as an example Gerasimenko N.N., Tynyshtykbaev K.B., Starkov V.V., Medetov N.A., Tokmoldin S.Zh., Gosteva E.A. Semiconductors. 2014 – V. 48. – №. 8. – P. 1088-1093.
8 О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению Герасименко Н.Н., Тыныштыкбаев К.Б., Старков В.В., Медетов Н.А., Токмолдин С.Ж., Гостева Е.А. Физика и Техника Полупроводников. 2014 – Т. 48. – №. 8 – С. 1117-1122.