Полисан Андрей Андреевич

Профессор, д.т.н.

+74956384448

Аудитория: К-411

SPIN: 4007-0235

Роснаука: 00030487

Андрей Андреевич Полисан родился 28 августа 1945 года, окончил МИСиС в 1967 году, доктор технических наук по специальности 05.14.08 Энергоустановки на основе возобновляемых видов энергии. Ученое звание - Профессор по кафедре.

Область научных интересов:

Технология полупроводниковых приборов, солнечная энергетика, материаловедение

Учебные курсы:

  • Основы радиационных технологий
  • Основы космических технологий

Научные достижения и работы

Список публикаций:

# Название публикации Авторы Журнал Год Выпуск-Номер-Страницы
1 Application of Radioactive Isotopes for Beta-Voltaic Generators Bykov A.S., Malinkovich M.D., Kubasov I.V., Kislyuk A.M., Kiselev D.A., Ksenich S.V., Zhukov R.N., Temirov A.A., Chichkov M.V., Polisan A.A., Parkhomenko Yu.N. Russian Microelectronics. 2017 – V. 46. – №. 8. – P. 527-539.
2 Special features of reconstruction of defect structure of epitaxial films of CeO2 and La2Zr2O7 in alternating magnetic field Chibirova F.K., Kotina G.V., Bovina E.A., Tarasova D.V., Khalilov V.R., Polisan A.A., Parkhomenko Y.N. Inorganic Materials. 2016 – V. 51. – №. 15. – P. 1457-1462.
3 Special features of restructuring of the defect structure of La2Zr2O7 and YSZ films in a rotating magnetic field Chibirova F.K., Kotina G.V., Bovina E.A., Tarasova D.V., Polisan A.A., Parkhomenko Y.N. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016 – V. 10. – №. 6. – P. 1300-1305.
4 Магнитный структурный эффект в эпитаксиальных пленках оксида церия и цирконата лантана Чибирова Ф.Х., Котина Г.В., Бовина Е,А., Клочихина А.В., Тарасова Д.В., Халилов В.Р., Полисан А.А., Пархоменко Ю.Н. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2014 – №. 1. – C. 37-41.
5 Особенности перестройки дефектной структуры эпитаксиальных пленок CeO2 и La2Zr2O7 в переменном магнитном поле Чибирова Ф.Х., Котина Г.В., Бовина Е.А., Тарасова Д.В., Халилов В.Р., Полисан А.А., Пархоменко Ю.Н. Заводская Лаборатория. Диагностика Материалов. 2014 – Т. 80. – №. 11. – С. 26–31.
6 Properties of nanosilicon obtained by plasma chemical decomposition of monosilane in a microwave discharge Parkhomenko Yu.N., Polisan A.A., Skryleva E.A., Tabachkova N.Yu., Shul’ga N.Yu., Davydov A.M., Kossyi I.A., Duyzhikov I.N., Pokalyakin V.I. Russian Microelectronics. 2012 – V. 41. – №. 8. – P. 491-497.
7 Свойства нанокремния, полученного плазмохимическим разложением моносилана в микроволновом разряде Пархоменко Ю.Н., Полисан А.А., Скрылева Е.А., Табачкова Н.Ю., Шульга Н.Ю., Давыдов А.М., Коссый И.А., Дюжиков И.Н., Покалякин В.И. Известия ВУЗОВ. Материалы Электронной Техники. 2011 – №. 4. – С. 50-56.
8 Study of protective properties of polymeric coatings for portable solarcell arrays of the BSA-R type in tropical climate conditions Polisan A.A., Persits I.S., Ivonin V.N., Kkhan Chin’ Kuok, Karpov V.A. Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces. 2008 – V. 44. – №. 7. – P. 729-736.

Перечень грантов и проектов

# Наименование проекта Номер контракта Источник финансирования Дата начала работ Дата окончания работ
1 Разработка эффективного радиационно-стимулированного механо-электрического генератора 14.578.21.0102 ФЦП 19.08.2015 31.12.2016

Объекты интеллектуальной собственности

# Наименование
объекта
интеллектуальной
собственности
Вид объекта Дата приоритета Номер Дата выдачи Авторы
1 Радиоизотопный механо-электрический генератор Патент 02.12.2016 RUS 2643151 31.01.2018 Малинкович М.Д., Быков А.С., Жуков Р.Н., Кубасов И.В., Пархоменко Ю.Н., Киселев Д.А., Полисан А.А., Темиров А.А., Ксенич С.В.
2 Способ получения нанопорошков индивидуальных оксидов лантаноидов Патент 24.07.2013 RUS 2534320 29.09.2014 Горячева Е.Г., Едренникова Е.Е., Еременко З.В., Пархоменко Ю.Н., Полисан А.А., Полисан А.А., Чибирова Ф.Х.
3 Способ получения тонкопленочного люминесцентного материала, содержащего наночастицы кремния на подложке Патент 27.10.2010 RUS 2470981 27.12.2012 Чибирова Ф.Х., Белогорохов А.И., Полисан А.А., Пархоменко Ю.Н.
4 Конструкция фотоэлектрического модуля Патент 19.01.2010 RUS 2410796 27.01.2011 Алексеев А.В., Гришин М.В., Звероловлев В.М., Полисан А.А., Пархоменко Ю.Н., Эйдельман Б.Л.