История кафедры МППиД

    В 1962 году в “Московском институте стали и сплавов” (МИСиС) на новом факультете Полупроводниковых материалов и приборов в числе первых были созданы кафедры материаловедения полупроводников и кристаллографии.

Postanovlenie     Кафедра материаловедения полупроводников стала первой в стране кафедрой, создавшей школу материаловедения для подготовки специалистов электронной промышленности.
Для работы на кафедре были приглашены высококвалифицированные работники промышленности, доценты и кандидаты наук: М.М. Самохвалов, М.Я. Дашевский, Б.Е. Левин, В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина, Т.Д. Лисовская, А.А. Галаев и другие. Были созданы лаборатории роста кристаллов, микроэлектроники с вакуумным оборудованием для получения и исследования пленок и процессов диффузии, структурная, занимающаяся исследованием структуры полупроводников с использованием дифракционных и оптических методов, метрики, проводящая измерения основных электрофизических параметров полупроводников, ферритов, оснащенная оборудованием для приготовления и термической обработки, измерения основных магнитных параметров ферритов. С 1962 по 1964 г.г. до создания специальной кафедры полупроводниковых приборов кафедра материаловедения полупроводников занималась также проблемами физики и технологии полупроводниковых приборов. На кафедре были разработаны первые новые курсы и практикумы: «Материаловедение полупроводников» и «Методы исследования структуры полупроводников». Программы этих курсов были утверждены Министерством Высшего и среднего специального образования СССР в качестве типовых для специальности «Технология специальных материалов электронной техники». Для студентов старших курсов на кафедре подготовлены и читались шесть спецкурсов: «Выращивание монокристаллов с заданными свойствами и структурой», «Пленочная технология», «Диффузия в полупроводниках», «Поверхностные явления в полупроводниках», «Диффузионные методы исследования структуры и структурных несовершенств», «Свойства, состав и технология получения ферритов. Ферриты для СВЧ».

Photo Gorelik    Основателем и руководителем кафедры был заслуженный деятель науки и техники РФ, профессор, доктор технических наук Семен Самуилович Горелик (1911- 2007). Он прожил долгий и славный жизненный путь: с 16 лет - рабочий, комсомольский работник на строительстве Магнитки в 1931-1933 г.г., до июля 1935 г. - красноармеец на Дальнем Востоке (г. Чита), с 1935 г. по 1941 г. студент Института стали, сотрудник отдела оборонной промышленности МГК КПСС в годы Великой Отечественной войны. За вклад в организацию работы оборонной промышленности Москвы, в производство боеприпасов, С.С. Горелик был награжден орденом Красной Звезды. С 1946 года он непрерывно трудился в МИСиС: поступил в аспирантуру, в 1949 году защитил кандидатскую диссертацию, затем 13 лет работал на кафедре рентгенографии и физики металлов, и в 1962 году защитил докторскую диссертацию, получил звание профессора.
     Научная деятельность С.С. Горелика к 1962 году концентрировалась на проблеме рекристаллизации металлов и сплавов. В июле 1962 года он был назначен на должность первого декана и в короткие сроки сумел организовать новый факультет полупроводниковых материалов и приборов. Семен Самуилович руководил факультетом в течение 10 лет, 25 лет он возглавлял кафедру материаловедения полупроводников. До самой своей смерти в 2007 г. С.С. Горелик читал лекции и вел активную научную работу на кафедре. В соавторстве с М.Я. Дашевским им написан учебник "Материаловедение полупроводников и диэлектриков", не имеющий аналогов в отечественной и мировой литературе.
     Семеном Самуиловичем создана научная школа в области металловедения и материаловедения микро- и наноэлектроники. Под его научным руководством и при его огромной помощи в постановке и проведении исследований защищены 15 докторских и 75 кандидатских диссертаций. Исследования, проводимые этой школой, широко известны научной общественности, их результаты до сих пор ежегодно докладываются на отечественных и международных конференциях.
     С.С. Гореликом впервые дано определение материаловедения как науки (Изв. вузов. МЭТ. 2003. № 1), в отличие от общепринятого в мире определения - "науки о материалах". Он является автором более 300 научных статей.
     По инициативе С. С. Горелика в 1998 г. создан журнал "Известия вузов. Материалы электронной техники", получивший широкое признание.
    Деятельность С. С. Горелика в области подготовки высококвалифицированных инженеров и научных работников и развития материаловедения как науки высоко оценена научной общественностью, Министерством высшего образования, Правительством. Он награжден орденами Красной Звезды (1944г.), "Знак Почета" (1980 г.), "Почета" (2002 г.), медалью "За трудовую доблесть" и 12 другими медалями.
     Первоначально кафедра выпускала инженеров-физиков с усиленным материаловедческим образованием, а в последствие инженеров электронной техники по специальности «Полупроводники и диэлектрики». Дипломники специализировались по следующим профилям: материаловедение полупроводников (влияние состава, структуры и технологических воздействий на свойства); методы исследования структуры полупроводников; магнитные полупроводники – ферриты. К 1969 году кафедра выпустила уже более 300 инженеров и подготовила 6 кандидатов наук.

Photo Shaskolskaya    Организатором и первой заведующей кафедры кристаллографии была выдающийся ученый-кристаллограф, проф., доктор физико-математических наук Марианна Петровна  Шаскольская (1913–1983). В 1993 г. кафедра кристаллографии переименована в кафедру физики кристаллов. После реструктуризации университета в 2006 г. кафедры были объединены и вошли в состав института Физики-химии материалов (ныне института Новых материалов и нанотехнологий).

    В 1962 г. в Московском институте стали и сплавов был создан факультет – «Полупроводниковые материалы и приборы», и Марианна Петровна становится организатором и заведующей кафедрой кристаллографии – первой подобной кафедрой в техническом вузе Советского Союза. Это одна из самых ярких и интересных страниц в ее биографии. Тогда, в период становления отечественной электроники, в большом количестве потребовались специалисты по материалам этой промышленности – полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Кому, как не ей и проф. С.С. Горелику, первому декану нового факультета, было взяться за решение этой задачи? И М.П. вложила в создание кафедры свой огромный организаторский талант, душу, а главное – умение находить и привлекать к делу специалистов, умнейших и талантливейших людей, работавших в области кристаллографии и кристаллофизики, заражая их своим интересом и энтузиазмом.
     М.П. возглавляла кафедру кристаллографии до 1972 года, а затем, передав ее своему ученику профессору А.А. Блистанову, оставалась профессором этой кафедры до последних дней своей жизни. В 1988 году по постановлению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».

blist photo    Александр Алексеевич Блистанов (1937–2005) – студент, аспирант физико-химического факультета, заместитель декана при создании факультета «Полупроводниковых материалов и приборов», и декан факультета ПМП с 1972 по 1982 г., проректор на научной работе МИСиС с 1986 по 1992 г., заведующий кафедрой физики кристаллов с 1972 по 2002 г., доктор физико-математических наук, профессор.
     Награжден Орденом Трудового Красного Знамени. А.А. Блистанов в течение 15 лет являлся председателем Ученого Совета при МИСиС и членом Ученого Совета при ИК РАН по присуждению ученых степеней, председателем научно-методической комиссии Министерства образования РФ по направлению «Техническая физика». Много лет А.А. Блистанов активно работал в редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», был членом оргкомитетов ряда международных научных конференций по физике кристаллов. Под его руководством были разработаны учебные планы и программы для подготовки инженеров по специализации «Материалы и компоненты квантовой электроники и оптоэлектроники», бакалавров по направлению «Техническая физика» и магистров по программе «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники». По его предложению и при непосредственном руководстве кафедра физики кристаллов была сориентирована на выпуск специалистов в области квантовой электроники и акустоэлектроники. А.А. Блистанов явился инициатором создания 3-х уровневой системы подготовки специалистов на факультете ПМП и кафедре физики кристаллов. Под его руководством создано и защищено более 100 выпускных работ, 20 кандидатских и докторских диссертаций. Ученики школы профессора А.А. Блистанова, которые работают не только в МИСиС, но и в ведущих научных центрах страны и за рубежом, успешно выдержали жесткую проверку в промышленных и научных сферах. А.А. Блистанов вместе с соавторами опубликовал более 200 научных трудов, более 50 изобретений и патентов. В соавторстве создан уникальный справочник «Акустические кристаллы». В 2000 г. вышла из печати монография «Кристаллы квантовой и нелинейной оптики», по полноте охвата и глубине изложения физики явлений, лежащих в основе применения кристаллов, не имеющая аналогов среди учебных пособий в России и за рубежом.

    С 1988 г. по 1998 г. кафедрой Материаловедения полупроводников заведовал профессор доктор физико-математических наук Аули Александрович Галаев (1935-1998). В 1963 г. после окончания Московского института стали и сплавов А.А. Галаев был направлен на работу на кафедру материаловедения полупроводников с которой была связана вся его дальнейшая трудовая жизнь, и здесь он прошел путь от аспиранта до заведующего кафедрой. А.А. Галаев был крупным ученым, работы которого внесли значительный вклад в развитие материаловедения полупроводников. Его научные интересы лежали в области материаловедения поверхности и поверхностных слоев полупроводников и в области материаловедения приборных структур. В 60-е - 70-е годы им совместно с коллегами был выполнен цикл экспериментальных работ (в том числе с использованием дифракции медленных электронов) по исследованию строения химических связей на поверхностях алмазо-подобных фаз. Результаты исследования по строению полярных поверхностей ряда соединений типа АIIIВV вошли в учебную литературу. Важные и интересные результаты были получены А.А. Галаевым в области строения и свойств приборных структур, в том числе варикапов. За работу по варикапам А.А. Галаев и сотрудники ряда организаций были отмечены в 1990 г. премией Совета Министров СССР.

Photo Parkhomenko    В настоящее время заведующим кафедрой является профессор доктор физико-математических наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники, директор ФГУП «Гиредмет», директор и создатель центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» Юрий Николаевич Пархоменко.
     Ю.Н. Пархоменко – крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования состава и свойств неорганических и органических материалов, физического материаловедения, автор более 200 научных работ, среди которых 3 монографии, 5 патентов, авторские свидетельства. Им созданы: уникальные методы диагностики, физико-химические основы технологии материалов на основе кремния и его соединений, один из самых известных центров исследования строения, состава и свойств неорганических веществ и материалов.
     Ю.Н. Пархоменко ведёт большую научно-организационную и педагогическую работу в качестве заведующего кафедрой «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» МИСиС, главного редактора журнала Известия высших учебных заведений «Материалы электронной техники», члена редакционной коллегии научно-технического журнала «Наноиндустрия», зам. председателя диссертационного Совета Д. 212.132.06 при МИСиС, члена диссертационного Совета Д. 217.043.01 при «Гиредмете». Под научным руководством Пархоменко Ю.Н. защищены 4 кандидатских и 1 докторская диссертация. В настоящее время он осуществляет руководство 10 аспирантами.